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NTB25P06中文资料

NTB25P06图片

NTB25P06外观图

  • 大小:56.25KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:Power MOSFET −60 V, −27.5 A, P−Channel D2PAK
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:27.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:82 毫欧 @ 25A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1680pF @ 25V
  • 功率 - 最大:120W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装:D2PAK
  • 包装:管件

NTB25P06供应商

更新时间:2023-01-09 12:58:31
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